В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков: для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения их в несколько слоёв — без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 EVO имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ...
Поддержка NVMe: не указано. Скорость записи: 530. Скорость чтения: 560. Время наработки на отказ: 1500000. Назначение: для ноутбука и настольного компьютера. Суммарное число записываемых байтов (TBW): 300 ТБ. Тип: SSD. Интерфейс SAS: нет. Потребляемая мощность: 2.2 Вт. Макс. рабочая температура: 70 °C. Интерфейс PCI-E: нет. Емкость: 500 ГБ. Поддержка TRIM: есть. Вес: 45 г. Длина: 100 мм. Высота: 7 мм. Ширина: 70 мм. Интерфейс SATA: SATA. Контроллер: Samsung MKX. Форм-фактор: 2.5 ". Назначение: для ноутбука
Тип: SSD; Емкость: 1000 ГБ; Назначение: для ноутбука и настольного компьютера; Форм-фактор: M.2 2280; Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Phoenix; Интерфейс PCI-E: есть; Интерфейс SAS: нет; Интерфейс SATA: нет; Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4; Разъем M.2: есть; Объем буфера: 1024 МБ; Скорость чтения: 3500 МБ/с; Скорость записи: 3300 МБ/с; Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ): 550000 IOPS; Поддержка секторов размером 4 КБ: есть; Поддержка TRIM
Применение для ноутбука и настольного компьютераТип накопителя твердотельный (SSD)Форм-фактор M.2 2280Объем SSD 1 ТбСкорость записи 4700 МБ/сСкорость чтения 7000 МБ/сПоддержка NVMe естьУдаростойкость при работе 1500 GУдаростойкость при хранении 1500 GИнтерфейс PCI Express 4.0