SSD накопитель Samsung 500Gb 970 EVO Plus M.2 MZ-V7S500BW

Тип: SSD; Емкость: 500 ГБ; Назначение: внутренний; Форм-фактор: M.2; Интерфейс PCI-E: есть; Скорость чтения: 3000 МБ/с

Дополнительная информация: новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной в линейке 970 EVO,благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO • Тип флэш-памяти: TLC • Контроллер: Samsung Phoenix • Скорость чтения: 3500 Мб/сек • Скорость записи: 3300 Мб/сек • Объём буферной памяти: 2048 Мб • Время наработки на отказ: 1500000 ч • Гарантия производителя: 3 года • Форм-фактор: M.2 2280/ Объем: 2Тб/ Флэш-память: TLC/ Чтение: 3500 Мб.сек/ Запись: 3300 Мб.сек/ Интерфейс: PCI-E x4/ Код: MZ-V7S2T0BW

500 ГБ , M.2 2280 (PCI-E есть ) • для настольного компьютера, для ноутбука

Тип: SSD; Емкость: 500 ГБ; Назначение: для ноутбука и настольного компьютера; Форм-фактор: M.2 2280; Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Phoenix; Интерфейс PCI-E: есть; Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4; Разъем M.2: есть; Объем буфера: 512 МБ; Скорость чтения: 3500 МБ/с; Скорость записи: 3200 МБ/с; Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ): 550000 IOPS; Поддержка секторов размером 4 КБ: есть; Поддержка TRIM: есть; Поддержка NVMe: есть; Шифрование данных

Тип: SSD; Емкость: 250 ГБ; Назначение: для ноутбука и настольного компьютера; Форм-фактор: M.2 2280; Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Phoenix; Интерфейс PCI-E: есть; Тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4; Разъем M.2: есть; Объем буфера: 512 МБ; Скорость чтения: 3500 МБ/с; Скорость записи: 2300 МБ/с; Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ): 550000 IOPS; Поддержка секторов размером 4 КБ: есть; Поддержка TRIM: есть; Поддержка NVMe: есть; Шифрование данных

Тип: SSD; Емкость: 4000 ГБ; Назначение: для ноутбука и настольного компьютера; Форм-фактор: 2.5 "; Интерфейс SATA: SATA-III (6 Гбит/с); Объем буфера: 4096 МБ; Скорость чтения: 560 МБ/с; Скорость записи: 530 МБ/с; Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ): 88000 IOPS; Поддержка TRIM: есть; Шифрование данных: есть; Суммарное число записываемых байтов (TBW): 2400 ТБ; Ударостойкость при работе: 1500 G; Ударостойкость при хранении: 1500 G; Время наработки на отказ: 1500000

Тип: SSD; Емкость: 8000 ГБ; Форм-фактор: 2.5 "; Тип флэш-памяти: QLC; Контроллер: Samsung MKX; Интерфейс SATA: SATA III; Скорость чтения: 560 Мб/сек; Скорость записи: 530 МБ/с; Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ): 88000 IOPS; Максимальная скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ): 98000 IOPS; Время наработки на отказ: 1500000 ч

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 3200МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 300 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 3300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 600 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 3300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 1200 ТБ; поддержка NVMe

скорость чтения, до: 3500МБ/с; скорость записи, до: 2300МБ/с; интерфейс: PCI-E x4; тип памяти: V-NAND; форм-фактор: M.2 2280; TBW: 150 ТБ; поддержка NVMe

8000 ГБ , 2.5 " ( SATA III)