Samsung M378B1G73EB0-CK0D0 (DDR3 DIMM, 1x 8Gb, 1600MHz) - 1 модуль 8 Гб; DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; 1.5 В • ECC - нет; Registered - нет • CL 11

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 43; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2

288-pin; частота: 2933; латентность: CL21; форм-фактор: DIMM; тип поставки: OEM

288-pin; частота: 3200; латентность: CL19; форм-фактор: DIMM; тип поставки: OEM

288-pin; частота: 2666; латентность: CL19; форм-фактор: DIMM; тип поставки: OEM

DDR3, 8 Гб (1600 МГц), модулей 2 • DIMM

DDR3, 2 Гб (1600 МГц) • SODIMM

DDR3, 4 Гб (1600 МГц) • DIMM

DDR3, 4 Гб (1600 МГц) • SODIMM

Цвет: Зеленый • Подсветка: Нет • Тип памяти: DDR5 • Радиатор: Нет • CAS Latency (CL): 40 • Тип модуля: SO-DIMM • Количество pin: 262 • Модуль памяти SO-DIMM DDR5 32Gb PC44800 5600Mhz Samsung (M425R4GA3BB0-CWM)

Цвет: Зеленый • Подсветка: Нет • Тип памяти: DDR5 • Радиатор: Нет • CAS Latency (CL): 40 • Тип модуля: SO-DIMM • Количество pin: 262 • Модуль памяти SO-DIMM DDR5 8Gb 5600Mhz Samsung ( M425R1GB4BB0-CWM )

Цвет: Черный • Подсветка: Нет • Тип памяти: DDR5 • Радиатор: Нет • CAS Latency (CL): 36 • Тип модуля: SO-DIMM • Количество pin: 262 • Модуль памяти SO-DIMM DDR5 32Gb PC44800 5600Mhz Foxline (FL5600D5S36-32G)