Модуль памяти Patriot Memory PSD416G2400K (2x8 Gb, DDR4, 2400MHz, CL16, DIMM)

ДАТА ПОСТАВКИ ПЛАНИРУЕМАЯ: 26.04 • Покупка в день заказа. Продажа в кредит

260-pin; частота: 2400; латентность: CL17; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: Ret

260-pin; частота: 2400; латентность: CL17; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: Ret

Общий объём памяти, Гб: 16; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 4000 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 32000 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): есть; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 43; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2133 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 15; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 800 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR2; CAS Latency (CL): 6

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): да; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): есть; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 43; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5 В

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.6 В

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 43; Напряжение питания: 1.2 В