Модуль памяти Patriot Memory DDR3 1600MHz PC-12800 CL14 - 8Gb KIT (2x4Gb) PV38G160C9K

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5 В

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Покупка в день заказа

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Покупка в день заказа

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3L; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2

Общий объём памяти, Гб: 16; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 4000 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 32000 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): есть; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор