Модуль памяти Kingston Value 8GB 1600MHz CL11 (KVR16S11/8WP)

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Модуль памяти Branded DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz SODIMM

Модуль памяти Branded DDR-III DIMM 8GB (PC3-12800) 1600MHz

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.35 В

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 27; Напряжение питания: 1.5 В; Назначение: для настольных ПК; Количество ранков: 2; Радиатор

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR3L; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2

Назначение стационарные (настольные) ПК Общий объем модулей памяти 32 Гб Объем модуля памяти 16 Гб Тип памяти DDR5 Количество слотов памяти 2

Цвет: Черный • Подсветка: Нет • Тип памяти: DDR4 • Радиатор: Нет • CAS Latency (CL): 19 • Тип модуля: SO-DIMM • RAS to CAS Delay (tRCD): 19 • Row Precharge Delay (tRP): 19 • Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 • Оперативная память SODIMM Netac Basic 16 ГБ пригодится для установки в ноутбуки. Вариантов применения планки несколько, с ее помощью можно заменить старый модуль или расширить объем ОЗУ. Компания Netac гарантирует высокое качество памяти. Ее изготовление осуществляется из надежных компонентов, модуль прослужит в течение продолжительного периода и не возникнет проблем с ним