Compare-price.ru
г. Москва, Московская область
Модуль памяти Kingston KVR1333D3E9S/8G
Актуальные предложения интернет-магазинов
Модуль памяти Kingston KCP316SD8/8 Branded DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz SODIMM
Модуль памяти Branded DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz SODIMM
XCom-Shop
г. Москва
4 547
руб.
Модуль памяти Kingston KCP316ND8/8 Branded DDR-III DIMM 8GB (PC3-12800) 1600MHz
Модуль памяти Branded DDR-III DIMM 8GB (PC3-12800) 1600MHz
XCom-Shop
г. Москва
4 547
руб.
Модуль памяти KINGSTON DIMM 32GB DDR5-6400 KIT2 KF564C32RSAK2-32 RTL
Назначение стационарные (настольные) ПК Общий объем модулей памяти 32 Гб Объем модуля памяти 16 Гб Тип памяти DDR5 Количество слотов памяти 2
IZICLICK
г. Москва
18 800
руб.
Модуль памяти Kingston 2x8Gb (KF432C16BBK2/16) DDR4 16GB 3200MHz
Общий объём памяти, Гб: 16; Объем одного модуля: 8 ГБ; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 18; Row Precharge Delay (tRP): 18; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя
CompYou.ru
г. Москва
4 877
руб.
Модуль памяти Kingston KF432C16BBAK2/16 (16GB)
Общий объём памяти, Гб: 16; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 18; Row Precharge Delay (tRP): 18; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
CompYou.ru
г. Москва
6 101
руб.
Модуль памяти Kingston
Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
CompYou.ru
г. Москва
1 481
руб.
Модуль памяти Kingston KVR16S11S6/2 (DDR3, 1x 2Gb, 1600 MHz, CL11-11-11, SO-DIMM)
Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
CompYou.ru
г. Москва
1 748
руб.
Модуль памяти Kingston DDR4 KVR26N19D8/16 16Gb DIMM, 2666MHz
Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
CompYou.ru
г. Москва
4 184
руб.
Модуль памяти Kingston DDR4 KVR26N19S6/4 4096 Mb, 2666 MHz
Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя
CompYou.ru
г. Москва
1 853
руб.
Модуль памяти Kingston KVR26S19S6/4 2666MHz 4Gb
Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
CompYou.ru
г. Москва
1 906
руб.
Модуль памяти Kingston CL22 KVR32N22D8/16 3200MHz 16Gb
Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 22; RAS to CAS Delay (tRCD): 22; Row Precharge Delay (tRP): 22; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
CompYou.ru
г. Москва
4 064
руб.
Модуль памяти Kingston KVR32N22S8/8 3200MHz 8192Mb
Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 22; RAS to CAS Delay (tRCD): 22; Row Precharge Delay (tRP): 22; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка
CompYou.ru
г. Москва
2 310
руб.
Модули памяти
RICOH 986640 модуль памяти 1,5 Гб для MP 3053AD, 3353AD
15 120
руб.
RICOH Type I дополнительный модуль памяти на 512 Мб для Aficio MP
6 970
руб.
RICOH Type G модуль памяти на 256 Мб для Aficio MP 2550B, 3350B, 4000B,
5 000
руб.
Модуль памяти 256MB (256MB Memory Option Kit) для OKI C321, C330,
16 860
руб.
Модуль памяти 256MB (256MB Memory Option Kit) для OKI C3600, C5700,
22 160
руб.
Модуль памяти 512MB (512MB Memory Option Kit) для OKI C321, C330,
28 090
руб.
Compare-Price.ru - сравнение цен интернет-магазинов. Просто выбрать. Легко купить.