Модуль памяти Kingston HyperX Impact DDR3L SO-DIMM 2133MHz PC3-17000 CL11 - 8Gb HX321LS11IB2/8

Покупка в день заказа

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Покупка в день заказа. Продажа в кредит

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка

260-pin; частота: 2666; латентность: CL15; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: Ret

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 8; Объем одного модуля: 8 ГБ; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; Activate to Precharge Delay (tRAS): 36; Напряжение питания: 1.2 В; Назначение: для настольных ПК

Покупка в день заказа

Покупка в день заказа. Продажа в кредит