Модуль памяти Kingston HyperX Fury DDR4 DIMM 2133MHz PC4-17000 CL14 - 16Gb KIT (2x8Gb) HX421C14FB2K2/16

Общий объём памяти, Гб: 32; Объем одного модуля: 16 Гб; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 4400 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 18; Row Precharge Delay (tRP): 18; Activate to Precharge Delay (tRAS): 38; Назначение: для настольных ПК

Модуль памяти Branded DDR-III DIMM 8GB (PC3-12800) 1600MHz

Модуль памяти DIMM 240-pin 1333 MHz/ PC3-10600 CL9 DDR3 ( совместим 500662-B21)

Модуль памяти Branded DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz SODIMM

Модуль памяти ThinkSystem 16GB TruDDR4 3200 MHz (2Rx8, 1.2V) ECC UDIMM

Модуль памяти 4GB DIMM for Terra NX

Модуль памяти 32GB DIMM for Terra NX

Модуль памяти DDR4 8GB XPOWER Zenith PC-25600 3200MHz CL16 1.35V

Назначение стационарные (настольные) ПК Общий объем модулей памяти 32 Гб Объем модуля памяти 16 Гб Тип памяти DDR5 Количество слотов памяти 2

Общий объём памяти, Гб: 16; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 4000 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 32000 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): есть; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка