г. Москва, Московская область

Модуль памяти Kingston HX318C10FBK2/8 (DDR3, 2x 4Gb, 1866 MHz, CL10-11-10, DIMM)

Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 1866 МГц; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 10; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка; ;
Актуальные предложения интернет-магазинов
288-pin; частота: 3600; латентность: CL17; форм-фактор: DIMM; комплект модулей для идеальной совместной работы, оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret
Ситилинк г. Москва
15 710 руб.
Модуль памяти 4 ГБ DDR4, 2666 МГц, SO-DIMM
XCom-Shop г. Москва
24 399 руб.
Модуль памяти 4 ГБ DDR4, 2400 МГц, SO-DIMM
XCom-Shop г. Москва
17 539 руб.
Модуль памяти Branded DDR-III DIMM 8GB (PC3-12800) 1600MHz
XCom-Shop г. Москва
4 547 руб.
Модуль памяти Branded DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz SODIMM
XCom-Shop г. Москва
4 547 руб.
Модуль памяти 16GB PC3-14900 (DDR3-1866) dual-rank x4 1.50V Registered memory for Gen8, E5-2600v2 series восстановлено вендором, 12мес. гар
XCom-Shop г. Москва
5 071 руб.
Модуль памяти 16 ГБ DDR4, 2666 МГц, SO-DIMM ECC
XCom-Shop г. Москва
65 904 руб.
Модуль памяти DDR3 8GB 1600MHz PC3-12800E-11 DDR3 single-rank x4 1.5V
XCom-Shop г. Москва
12 184 руб.
Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
CompYou.ru г. Москва
1 748 руб.
Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
CompYou.ru г. Москва
1 481 руб.
Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1
CompYou.ru г. Москва
2 315 руб.
Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.35 В
CompYou.ru г. Москва
2 305 руб.
Compare-Price.ru - сравнение цен интернет-магазинов. Просто выбрать. Легко купить.