Модуль памяти Kingston DDR4 KVR26N19S8/16, 2666Mhz

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя

288-pin; частота: 2666; латентность: CL13; форм-фактор: DIMM; оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка

288-pin; частота: 2666; латентность: CL19; форм-фактор: DIMM; тип поставки: Ret

288-pin; частота: 2666; латентность: CL19; форм-фактор: DIMM; тип поставки: Ret

260-pin; частота: 2666; латентность: CL19; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: Ret

260-pin; частота: 2666; латентность: CL19; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: Ret

288-pin; частота: 2666; латентность: CL19; форм-фактор: DIMM; тип поставки: Ret

Общий объём памяти, Гб: 16; Форм-фактор: SODIMM; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Тип памяти: DDR4; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: нет

288-pin; частота: 3600; латентность: CL16; форм-фактор: DIMM; оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret

Покупка в день заказа. Продажа в кредит