Модуль памяти Foxline FL2400D4U17-4G (DDR4 4096 Mb, 2400 MHz)

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Activate to Precharge Delay (tRAS): 43; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2

Модуль памяти Branded DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz SODIMM

Модуль памяти Branded DDR-III DIMM 8GB (PC3-12800) 1600MHz

Модуль памяти 8GB DDR-III DIMM module for EonStor DS/GS/GSe, EonNAS and ESVA subsystem

Модуль памяти 16GB DDR-IV ECC DIMM

Модуль памяти 32GB DDR-IV DIMM module for EonStor DS 3000U,DS4000U,DS4000 Gen2, GS/GSe, and EonServ 7000 series

Модуль памяти TCH ThinkSystem 64GB TruDDR4 3200 MHz (2Rx4 1.2V) RDIMM

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5 В

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR3L; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.35 В

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; Напряжение питания: 1.2 В