Модуль памяти ddr3 4096mb 1600mhz corsair (cmsx4gx3m1a1600c9) rtl (cmsx4gx3m1a1600c9)

Модуль памяти PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V RTL

Назначение стационарные (настольные) ПК Общий объем модулей памяти 32 Гб Объем модуля памяти 16 Гб Тип памяти DDR5 Количество слотов памяти 2

Основные характеристикиТип памятиDDR5Форм-фактор памятиSODIMMОбъем одного модуля32 ГБКоличество модулей в комплекте1 штСуммарный объем комплекта32 ГБЭффективная частота4800 МГцПропускная способность38400 МБ/cПоддержка ECCНетБуферизованная (регистровая)НетКоличество чипов на модуле16 штКомпоновка чипов на модулеДвусторонняяКоличество контактов памяти262Количество ранков2ТаймингиCAS Latency (CL)40RAS to CAS Delay (tRCD)39Row Precharge Delay (tRP)39

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя

Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 2400 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 17; Напряжение питания: 1.2 В

204-pin; частота: 1600; латентность: CL11; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: Ret

Модуль памяти DDR4 4GB 2400MHz CL17 1.2V 1R 8Gbit RTL

Модуль памяти DDR4 16GB 2666MHz CL19 1.2V 2R 8Gbit RTL

Модуль памяти DDR3 2GB PC3-12800 1600MHz CL11 1.5V RTL

Модуль памяти DDR4 4GB PC4-19200 2400MHz CL16 1.2V RTL

Модуль памяти DDR4 4GB PC4-19200 2400MHz CL17 1.2V RTL