Модуль оперативной памяти ПК Corsair CMK4GX4M1A2400C14 (CMK4GX4M1A2400C14)

Модуль оперативной памяти Qumo SO-DIMM DDR4 16ГБ PC4-21300 2666MHz 1.2V, CL19, QUM4S-16G2666P19

Модуль оперативной памяти Qumo SO-DIMM DDR4 32ГБ PC4-25600 3200MHz 1.2V, CL22, QUM4S-32G3200N22

Модуль оперативной памяти PATRIOT Signature Line SO-DIMM DDR4 16ГБ PC4-21300, 2666MHz 1.2V, CL19, PSD416G266681S

Модуль оперативной памяти Hynix SO-DIMM DDR4 32ГБ PC4-23400, 2933MHz 1.2V, CL21, HMAA4GS6MJR8N-WMN0

Модуль оперативной памяти Hynix SO-DIMM DDR4 32ГБ PC4-23400, 2933MHz 1.2V, CL21, HMAA4GS6AJR8N-WMN0

Модуль оперативной памяти Qumo SO-DIMM DDR4 16ГБ PC4-19200 2400MHz 1.2V, CL17, QUM4S-16G2400N17

Модуль оперативной памяти KingSpec SO-DIMM DDR4 4ГБ PC4-21300 2666MHz 1.2V, CL17, KS2666D4N12004G

Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 16ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, CL40, M425R2GA3BB0-CQK OEM

Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 16ГБ PC5-44800, 5600MHz 1.1V, CL40, M425R2GA3BB0-CWM OEM

Модуль оперативной памяти PATRIOT Signature Line SO-DIMM DDR4 16ГБ PC4-21300, 2666MHz 1.2V, CL19, PSD416G26662S

Модуль памяти 4 ГБ DDR4, 2400 МГц, SO-DIMM

Тип памяти: DDR-4 • Объем одного модуля: 8 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 2400 МГц • Пропускная способность: 19200 Мб/с • RAS to CAS Delay (tRCD): 17 • Row Precharge Delay (tRP): 17 • Напряжение питания: 1.2 В • Вес: 0.05 кг • Вес в упаковке: 0.1 кг • Поддержка ECC: Есть • Объем памяти: 8 Гб • Гарантия производителя: 1 год • Страна производитель: Китай • Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: RAM-8GDR4A1-UD-2400