Модуль оперативной памяти ноутбука Samsung DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz SO-DIMM (M471B1G73EB0-YK000)

Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 16ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, CL40, M425R2GA3BB0-CQK OEM

Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 16ГБ PC5-44800, 5600MHz 1.1V, CL40, M425R2GA3BB0-CWM OEM

Модуль памяти Branded DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz SODIMM

Модуль оперативной памяти Qumo SO-DIMM DDR4 16ГБ PC4-21300 2666MHz 1.2V, CL19, QUM4S-16G2666P19

Модуль оперативной памяти Qumo SO-DIMM DDR4 32ГБ PC4-25600 3200MHz 1.2V, CL22, QUM4S-32G3200N22

Модуль оперативной памяти PATRIOT Signature Line SO-DIMM DDR4 16ГБ PC4-21300, 2666MHz 1.2V, CL19, PSD416G266681S

Модуль оперативной памяти Hynix SO-DIMM DDR4 32ГБ PC4-23400, 2933MHz 1.2V, CL21, HMAA4GS6MJR8N-WMN0

Модуль оперативной памяти Hynix SO-DIMM DDR4 32ГБ PC4-23400, 2933MHz 1.2V, CL21, HMAA4GS6AJR8N-WMN0

Модуль оперативной памяти Qumo SO-DIMM DDR4 16ГБ PC4-19200 2400MHz 1.2V, CL17, QUM4S-16G2400N17

Модуль оперативной памяти KingSpec SO-DIMM DDR4 4ГБ PC4-21300 2666MHz 1.2V, CL17, KS2666D4N12004G

Модуль оперативной памяти PATRIOT Signature Line SO-DIMM DDR4 16ГБ PC4-21300, 2666MHz 1.2V, CL19, PSD416G26662S

Цвет: Зеленый • Подсветка: Нет • Тип памяти: DDR5 • Радиатор: Нет • CAS Latency (CL): 40 • Тип модуля: SO-DIMM • Доп. возможности: Количество чипов модуля - 8 • RAS to CAS Delay (tRCD): 40 • Row Precharge Delay (tRP): 40 • Оперативная память SODIMM Samsung 16 ГБ относится к типу DDR5 и выпускается в форм-факторе SODIMM, что делает ее оптимальным решением для модернизации ноутбука с целью увеличения его быстродействия. Эта одиночная планка емкостью 16 ГБ поддерживает работу с тактовой частотой до 5600 МГц и позволит ноутбуку или компактному системному блоку - неттопу уверенно работать даже при одновременном запуске нескольких приложений • Вы можете разместить модуль оперативной памяти Samsung в свободном слоте для ОЗУ на материнской плате ноутбука либо подключить ее вместо менее производительной планки