Kingston KVR16N11S8H/4 DDR3, 4Гб, PC-12800, 1600, DIMM KVR16N11S8H4

240-pin; частота: 1600; латентность: CL10; форм-фактор: DIMM; оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret

Цвет: Черный • Подсветка: Нет • Тип памяти: DDR • Радиатор: Нет • CAS Latency (CL): 42 • Тип модуля: SO-DIMM • RAS to CAS Delay (tRCD): 42 • Row Precharge Delay (tRP): 42 • Модуль памяти SO-DIMM DDR5 16Gb 5200Mhz Kingston ( KVR52S42BS8-16 )

Цвет: Черный • Подсветка: Нет • Тип памяти: DDR5 • Радиатор: Нет • CAS Latency (CL): 46 • Тип модуля: SO-DIMM • RAS to CAS Delay (tRCD): 45 • Row Precharge Delay (tRP): 45 • Модуль памяти SO-DIMM DDR5 16Gb 5600Mhz Kingston ( KVR56S46BS8-16 )

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка Intel Extreme Memory Profile (XMP): есть; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 22; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: нет

Модуль памяти DDR3L 4GB 1600MHz PC3-12800 CL11 DIMM 240-pin 1.35В RTL

Модуль памяти DDR3L 8GB 1600MHz RTL PC3-12800 CL11 DIMM 240-pin 1.35В dual rank Ret

Модуль памяти DDR3 16GB PC3-12800 1600 1.35V Tray ECC Registered

Тип памяти: DDR-3 • Объем одного модуля: 16 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 1600 МГц • Пропускная способность: 12800 Мб/с • RAS to CAS Delay (tRCD): 11 • Row Precharge Delay (tRP): 11 • Напряжение питания: 1.35 В • Вес: 0.1 кг • Поддержка ECC: Есть • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 5 лет • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: R-DIMM/ Напряжение: 1.35 в/ Код: KVR16LR11D4/16

Тип памяти: DDR-3 • Объем одного модуля: 16 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 1866 МГц • Пропускная способность: 14900 Мб/с • RAS to CAS Delay (tRCD): 13 • Row Precharge Delay (tRP): 13 • Напряжение питания: 1.5 В • Вес: 0.1 кг • Поддержка ECC: Есть • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 5 лет • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1866 МГц/ Форм-фактор: R-DIMM/ Напряжение: 1.5 в/ Код: KVR18R13D4/16

Модуль памяти Branded DDR-III DIMM 8GB (PC3-12800) 1600MHz

Время от времени у пользователей стационарными компьютерами или ноутбуками возникает желание их модернизировать. Многие предпочитают увеличить объём оперативной памяти, и отправляется в магазин, чтобы купить это устройство. Однако некоторые люди предпочитают сначала поискать в Интернет, где можно приобрести качественную «оперативку» по привлекательной цене. Одной из оперативных систем, которая сочетает в себе оба этих пожелания –это оперативная память Kingston DDR3 4Gb, PC12800, SO-DIMM, 1600MHz (KVR16S11S8/4) CL11 • Оперативная память Kingston DDR3 4Gb, PC12800, SO-DIMM, 1600MHz (KVR16S11S8/4) CL11 – это место временного хранения информации на ПК. Она представляет собой несколько микросхем, подсоединенных к материнской плате