Kingston KVR13N9K2/16 DDR3, 16Гб, PC3-10600, 1333, DIMM 740617206661

DDR3L 1333 (PC 10600) DIMM 240 pin, 1x16 ГБ, буферизованная, ECC, 1.35 В, CL 9

Оперативная память модели SO-DIMM DDR3 – усовершенствованная модель с высокими показателями производительности за доступную цену. Является устройством, которое предоставляет место для временного хранения различной цифровой информации компьютеру, тем самым позволяя системе работать корректно. С каждым годом производители благодаря новейшим технологиям создают все более производительные модели, при этом цена на них не сильно становиться больше, что особенно радует рядового покупателя • Оперативная память модели SO-DIMM DDR3 не является исключением. Своего владельца она сможет порадовать очень мощной внутренней начинкой, которая позволяет системе компьютера работать быстро, без каких-либо зависаний. Все материалы, используемые при изготовлении качественные и надежные, которые будут гарантией долгой службы устройства

Тип памяти: 240-pin 1.5В DDR3 DIMM; Тип памяти для фильтра: DDR3; Объем: 4; Стандарт памяти: pc3-10660 • Тип упаковки: Retail • Комплект поставки: Один модуль памяти • Дополнительно: Оперативная память ECC 4 Гбайт DDR3 для TS-EC879U-RP, TS-EC1279U-RP • Назначение: Для сервера • Объем: 4 Гб • Напряжение питания: 1.5 • Форм-фактор: DIMM • Подсветка: Отсутствует • Частота работы: 1 333 МГц • Проверка и коррекция ошибок: Присутствует • Латентность: CL9 • Буферизация: Отсутствует • Пропускная способность: 10 660 Мб/с • Количество планок: Одна • Тайминги: 9-9-9-24

Модуль памяти Branded DDR-III DIMM 8GB (PC3-12800) 1600MHz

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 16; Объем одного модуля: 8 ГБ; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 18; Row Precharge Delay (tRP): 18; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя

DDR3, 8 Гб (1333 МГц) • DIMM

DDR3, 4 Гб (1333 МГц) • DIMM

DDR4, 16 Гб (2666 МГц), модулей 1 • RDIMM

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 22; RAS to CAS Delay (tRCD): 22; Row Precharge Delay (tRP): 22; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

DDR4, 16 Гб (3200 МГц) • DIMM

DDR4, 16 Гб (3200 МГц), модулей 2 • DIMM