AMD R738G1869S2S-UO - 1 модуль 8 Гб; DDR3; SODIMM 204-контактный; 1866 МГц; 1.5 В • ECC - нет; Registered - нет • CL 13 / tRCD 13 / tRP 13/ tRAS 32

Модуль памяти DDR4 16GB 2666 МГц ECC 288pin 1.2V, для FS6400, FS3400, SA3400

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 18; Row Precharge Delay (tRP): 18; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; Напряжение питания: 1.2 В

Модуль памяти DDR4 16GB 2666MHz ECC CL19 DIMM 2Rx8

Модуль памяти DDR4 8GB 2666MHz, ECC Unbuffered, 1Rx8 CL19

Модуль памяти DDR4 16GB 2666MHz ECC Reg CL19 1Rx8 Micron E IDT

Модуль памяти DDR4 8GB 3200MHz ECC Reg CL22 1.2V 1R 8Gbit

Модуль памяти DDR4 64GB 3200MHz ECC Reg CL22 DIMM 2Rx4 Hynix A Rambus

Модуль памяти DDR4 64GB 2933MHz ECC Reg CL21 DIMM 2Rx4 Hynix A Rambus

Модуль памяти DDR4 64GB RDIMM ECC Reg PC4-25600 CL21 3200MHz

Модуль памяти DDR4 8GB 3200MHz ECC CL22 1RX8 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R retail

Модуль памяти DDR4 16GB 2666MHz ECC CL19 1RX8 1.2V 288-pin 16Gbit Hynix A

Модуль памяти DDR4 16GB 2666MHz ECC Reg CL19 1RX4 1.2V 288-pin 8Gbit Micron R Rambus