8GB PC12800 DDR3 SO-DIMM SP008GBSTU160N02 Silicon Power

Общий объём памяти, Гб: 8; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2

Тип памяти: DDR-3 • Объем одного модуля: 8 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 1600 МГц • Вес: 0.1 кг • Объем памяти: 8 Гб • Цвет: Зеленый • Страна производитель: Китай • Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Код: QUM3S-8G1600C11R

Время от времени у пользователей стационарными компьютерами или ноутбуками возникает желание их модернизировать. Многие предпочитают увеличить объём оперативной памяти, и отправляется в магазин, чтобы купить это устройство. Однако некоторые люди предпочитают сначала поискать в Интернет, где можно приобрести качественную «оперативку» по привлекательной цене. Одной из оперативных систем, которая сочетает в себе оба этих пожелания –это оперативная память Kingston DDR3 4Gb, PC12800, SO-DIMM, 1600MHz (KVR16S11S8/4) CL11 • Оперативная память Kingston DDR3 4Gb, PC12800, SO-DIMM, 1600MHz (KVR16S11S8/4) CL11 – это место временного хранения информации на ПК. Она представляет собой несколько микросхем, подсоединенных к материнской плате

Сегодня самым простым способом модернизировать компьютер и увеличить его скорость производительность является установка или замена оперативной памяти. Замена «оперативки», происходит протекает буквально одним движением руки, а эффект Вы увидите сразу после начала работы ОС. Отличной заменой Вашей старой «оперативки» может стать новая и современная модель оперативной памяти Kingston DDR3 8Gb, PC12800, SO-DIMM, 1600MHz (KVR16S11/8) CL11 • Оперативная память Kingston DDR3 8Gb, PC12800, SO-DIMM, 1600MHz (KVR16S11/8) CL11 – важнейшая деталь компьютера, которая отвечает за работу различных приложений. В ней хранятся временная информация и набор команд необходимых для дальнейших операций ПК • Главные характеристики, по котором надо выбирать ОЗУ – это объем, пропускная способность и тайминг

Тип памяти: DDR-3 • Объем одного модуля: 8 Гб • Количество модулей в комплекте: 2 • Частота памяти: 1866 МГц • Вес: 0.02 кг • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 2 года • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1866 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Код: KF318LS11IBK2/16

Модуль памяти Branded DDR-III DIMM 8GB (PC3-12800) 1600MHz

Тип памяти: DDR-4 • Объем одного модуля: 4 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 2666 МГц • Пропускная способность: 21300 Мб/с • Напряжение питания: 1.2 В • Вес: 0.05 кг • Вес в упаковке: 0.1 кг • Объем памяти: 4 Гб • Гарантия производителя: 1 год • Страна производитель: Китай • Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: RAM-4GDR4A0-SO-2666

Оперативная память 2048 MB of Advanced ECC PC2700 DDR SDRAM DIMM Memory Kit (1 x 2 GB) HP P/N: 367553-001 413152-851 416257-001

Тип памяти: DDR-4 • Объем одного модуля: 4 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 2400 МГц • Пропускная способность: 19200 Мб/с • Напряжение питания: 1.2 В • Вес: 0.1 кг • Объем памяти: 4 Гб • Гарантия производителя: 5 лет • Страна производитель: Китай • Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: R744G2400S1S-UO

Тип памяти: DDR-4 • Объем одного модуля: 4 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 2666 МГц • Пропускная способность: 21300 Мб/с • RAS to CAS Delay (tRCD): 18 • Row Precharge Delay (tRP): 18 • Напряжение питания: 1.2 В • Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 • Вес: 0.020 кг • Вес в упаковке: 0.033 кг • Серия: Radeon R7 Performance • Размеры: 69.6 x 30 мм • Объем памяти: 4 Гб • Гарантия производителя: 2 года • Страна производитель: Китай • Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: R744G2606S1S-UO

Тип памяти: DDR-4 • Объем одного модуля: 4 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 2666 МГц • Пропускная способность: 21300 Мб/с • Напряжение питания: 1.2 В • Объем памяти: 4 Гб • Страна производитель: Тайвань • Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: PSD44G266682S

Тип памяти: DDR-4 • Объем одного модуля: 4 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 2666 МГц • Пропускная способность: 21300 Мб/с • Вес: 0.1 кг • Поддержка ECC: Есть • Объем памяти: 4 Гб • Цвет: Зеленый • Страна производитель: Китай • Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Код: D4ES01-4G