8Gb DDR-III 1600MHz Kingston ECC (KVR16E11/8)

RAM DDRIII-1600 HP (Kingston) HP669238-071-HYC 4Gb 2Rx8 Unbuffered ECC SMART PC3-12800E-11 For DL160 DL320eGen8 DL360eGen8 DL360pGen8 DL380eGen8 DL380(669322-B21)

Модуль памяти Branded DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz SODIMM

Модуль памяти Branded DDR-III DIMM 8GB (PC3-12800) 1600MHz

RAM DDRIII-1600 HP (Hynix) HMT351U7BFR8C-PB 4Gb 2Rx8 Unbuffered ECC PC3-12800E-11 For DL160 DL320e Gen8 DL360e Gen8 DL360p Gen8 DL380e Gen8 DL380p Gen(A2Z48AA)

RAM DDRIII-1600 IBM (Samsung) M391B1G73QH0-YK0 8Gb 2Rx8 ECC PC3L-12800E-11(00D5018)

RAM DDRIII-1600 Lenovo (Hynix) HMT351R7CFR4C-PB 4Gb 1Rx4 REG ECC PC3-12800R-11(03X4324)

RAM DDRIII-1600 IBM (Samsung) M393B1G70QH0-YK0 8Gb 1Rx4 REG ECC PC3-12800R-11 For x3500M4 x3530M4 x3550M4 x3630M4 x3650M4 x3750M4 x3755M3 x3850X6 x395(47J0222)

RAM DDRIII-1600 IBM (Samsung) M393B1G70QH0-YK0 8Gb 1Rx4 REG ECC PC3-12800R-11 For x3500M4 x3530M4 x3550M4 x3630M4 x3650M4 x3750M4 x3755M3 x3850X6 x395(00D5038)

RAM DDRIII-1600 IBM 4Gb ECC 2Rx8 LP PC3-12800E-11(00FE678)

Модуль памяти 8GB DDR-III DIMM module for EonStor DS/GS/GSe, EonNAS and ESVA subsystem

Тип памяти: DDR-3 • Объем одного модуля: 16 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 1600 МГц • Пропускная способность: 12800 Мб/с • RAS to CAS Delay (tRCD): 11 • Row Precharge Delay (tRP): 11 • Напряжение питания: 1.35 В • Вес: 0.1 кг • Поддержка ECC: Есть • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 5 лет • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: R-DIMM/ Напряжение: 1.35 в/ Код: KVR16LR11D4/16

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка