32Gb DDR-III 1600MHz Kingston ECC (KVR16LL11Q4/32)

RAM DDRIII-1600 HP (Kingston) HP669238-071-HYC 4Gb 2Rx8 Unbuffered ECC SMART PC3-12800E-11 For DL160 DL320eGen8 DL360eGen8 DL360pGen8 DL380eGen8 DL380(669322-B21)

Модуль памяти Branded DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz SODIMM

Модуль памяти Branded DDR-III DIMM 8GB (PC3-12800) 1600MHz

RAM DDRIII-1600 HP (Hynix) HMT41GR7AFR4C-PB 8Gb 1Rx4 REG ECC SMART PC3L-12800R-11 For Z620 Z820(A2Z51AA)

RAM DDRIII-1600 IBM 4Gb ECC 2Rx8 LP PC3-12800E-11(00FE678)

Модуль памяти 8GB DDR-III DIMM module for EonStor DS/GS/GSe, EonNAS and ESVA subsystem

Тип памяти: DDR-3 • Объем одного модуля: 16 Гб • Количество модулей в комплекте: 1 • Частота памяти: 1600 МГц • Пропускная способность: 12800 Мб/с • RAS to CAS Delay (tRCD): 11 • Row Precharge Delay (tRP): 11 • Напряжение питания: 1.35 В • Вес: 0.1 кг • Поддержка ECC: Есть • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 5 лет • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: R-DIMM/ Напряжение: 1.35 в/ Код: KVR16LR11D4/16

Общий объём памяти, Гб: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: SODIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 1; Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка

Тип памяти: DDR-3 • Объем одного модуля: 8 Гб • Количество модулей в комплекте: 2 • Частота памяти: 1600 МГц • Вес: 0.02 кг • Объем памяти: 16 Гб • Гарантия производителя: 2 года • Страна производитель: Китай • Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Код: KF316C10BRK2/16

DDR3, 2 Гб (1600 МГц) • SODIMM

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 2666 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 21300 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка

Общий объём памяти, Гб: 16; Тактовая частота: 3200 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка XMP: нет; Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 22; RAS to CAS Delay (tRCD): 22; Row Precharge Delay (tRP): 22; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка